名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター（cLPS) が、低温プラズマに関する産業界ニーズにお応えすべく最新の研究内容をご紹介します。講演後に産業界のお困り案件解決にむけて産学官が連携してディスカッションいたします。

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

講演方式：ZOOMによるWEBセミナー

参加費：無料

日時：３月２９日（月）

　　講演　　　　１３：００～１４：００　

　　質疑応答　　１４：００～　

講師：布村　正太　上級主任研究員
　　　産業技術総合研究所　電子光基礎技術研究部門

タイトル：プラズマ誘起欠陥の検出と制御

講演内容：半導体デバイスの作製にはプラズマプロセスが広く用いられる。プラズマプロセスは、微細加工、ドーピング、極薄膜の形成を可能にする一方、表面に欠陥を形成しデバイス性能を律速する課題を抱える。そのため、このプロセス起因のプラズマ誘起欠陥（plasma-induced defects）を理解し制御することが必要である。本研究会では、水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）を用いる結晶シリコン（c-Si）表面パッシベーションを取り上げ、プラズマ誘起欠陥の発生と修復についての最新の研究成果を紹介する。併せて、デバイスの高性能化とプロセス制御について議論を深めたい。

参加申込（事前申し込み制　定員 70名）　※ 当日のＵＲＬのご案内などは開催日までに別途お知らせします

下記Webサイトより、事前登録にご協力お願いいたします。

http://www.aip.nagoya-u.ac.jp/industry/about/event/detail/3-1.html

チラシはこちらをご覧ください：Flyer_43th_Sentan_Plasma.pdf

ご質問お問い合わせ先：　

e-mail: contact@plasma.engg.nagoya-u.ac.jp, TEL: 052-789-3460

主催　名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター（cLPS)

共催　名古屋大学協力会