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2024.08.29
半導体の微細加工ダメージを診る －プラズマ加工による劣化を定量評価－
低温プラズマ科学研究センターの堤隆嘉准教授、堀勝特任教授らが、国立研究開発法人 産業技術総合研究所 電子光基礎技術研究部門 布村 正太 上級主任研究員と共同で、半導体素子の劣化につながる微細加工ダメージの定量評価に成功しました。
詳細は産業技術総合研究所のプレスリリースをご覧ください。
掲載誌：Applied Surface Science
論文タイトル：Radical, ion, and photon's effects on defect generation at SiO2/Si interface during plasma etching
著者：Shota Nunomura, Takayoshi Tsutsumi, Noriharu Takada, Masanaga Fukasawa , Masaru Hori
DOI：https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.160764
